Kombination aus
TOF-SIMS und FIB-REM

In enger Kooperation mit der schweizer Firma TOFWERK bietet TESCAN ein völlig neuartiges, orthogonales Time-of-Flight Massenspektrometer (TOF-SIMS) für FIB-REM Systeme an.
Die kosteneffektive Kombination mit einem Focused Ion Beam Mikroskop (FIB-REM) erlaubt dem Anwender chemisches SIMS Mapping.
Da Tiefenprofile mit einer Auflösung von wenigen Nanometern eine immer größere Rolle spielen, bieten die TESCAN FIB-REM mit TOF-SIMS volles, dreidimensionales chemisches Mapping im Nanometerbereich.
 

 
Ein kompaktes TOF-SIMS Modul wird an einem normalen TESCAN Hochvakuum Gallium FIB-REM (VELA / LYRA) orthogonal angebracht. Dadurch wird keine andere primäre Ionenquelle benötigt. So wird eine räumliche Auflösung besser 50 nm lateral und 20 nm in der Tiefe erreicht. Der Anwender profitiert von den Vorteilen eines FIB-REM (Bilderzeugung, Deposition, Ätzen, Lithographie, Manipulation) und kann die SIMS Analyse der Nanostrukturen direkt in der Kammer des FIB-REM vornehmen.
 

TOF-SIMS Integration

Normales Ga FIB-REM

Kontinuierlicher Strahl

3D chemisches Mapping

Tiefenprofile (Depth Profiling)

Kontinuierlicher Strahl

Flexibilität: SIMS, kombiniert mit den Vorteilen eines FIB-REM

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Parameter

Wert

Laterale Auflösung

< 50 nm

Tiefenauflösung

< 20 nm

Detektionslimit

< 1 ppm (2x1016 At./cm3)

Massenauflösung

> 500

Massengenauigkeit

± 10 ppm

Massebereich

1 - 2500

Sensivität

4x105 cps/nA**

Dynamikbereich

Sechs Dekaden

Max. Stromverbrauch

200 Watt

Max. Wiederholfreq.

100 kHz

FIB-REM Vakuum

< 9x10-5 Pa