GAIA Focused Ion Beam UHR FE-REM

Tescan FIB Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop

Focused Ion Beam UHR FE-REM

Mit der GAIA bietet Tescan ein höchstauflösendes Schottky FE-REM mit integriertem Focused Ion Beam (FIB) System.
 
Wichtigste Merkmale des GAIA UHR FE FIB-REM:

Einzigartige Cobra Gallium Focused Ion Beam Säule für äußerst geringe Ionenstreuung

Schottky Emitter mit hoher Effizienz für brillante, höchstauflösende und rauscharme Bilder, sowie hohem Strahlstrom für analytische Aufgaben

Motorisierter Blendenwechsler und Beam Blanker

Gas Injection System (GIS) mit fünf unabhängigen Kapillaren und automatischer Positionierung

Electron Beam mit spezieller Tescan Wide Field Optics™ für verschiedenste Arbeits- und Darstellungsmodi

TESCAN GAIA UHR FIB FE-REM

Höchstauflösung von 0,7 nm bei 15 kV und 1,0 nm bei 1 kV (im BDM)

Niedrige Auftreffenergie von 50 eV sowie hoher Strahlstrom bis zu 400 nA

Echtzeit-Strahloptimierung (In-Flight Beam Tracing™)  für bestmögliche Abbildungs- und Analyseeigenschaften, unter Einbeziehung der anerkannten Software Electron Optical Design

Niedervakuum Option für die Untersuchung nicht leitender Proben

In-Beam Sekundärelektronen-Detektor für Höchstauflösung sowie In-Beam BSE

Ausgezeichnete analytische Möglichkeiten; bis zu 20 Kammerflansche mit optimierter analytischer Geometrie erlauben die gleichzeitige Adaption von EDX und EBSD

Varianten mit Beam Deceleration-Technologie optional erhältlich

Hervorragendes Preis- / Leistungsverhältnis
 

TESCAN GAIA Kammer Spezifikationen

XM

GM

Kammerinnengröße

290 x 340 mm (B,T)

340 x 315 mm (B,T)

Türmaße

290 x 322 mm (B,H)

340 x 320 mm (B,H)

Typ

compuzentrisch

compuzentrisch

X

130 mm mot.

130 mm mot.

Y

130 mm mot.

130 mm mot.

Z

90 mm mot.

90 mm mot.

Rotation

360° mot.

360° mot.

Kippung (Tilt)

-30 bis +90° mot.

-60 bis +90° mot.

Probenhöhe

137 mm max.

137 mm max.

Ports

12+

20+

TESCAN GAIA  UHR FE FIB-REM Spezifikationen

Kammer & Vakuum

XMH / XMU / GMH / GMU

Säule

SEM

FIB

Kathodensystem

FE-Kathode in Triglav™ Elektronensäule

Gallium Flüssigmetall Ionenquelle

**Auflösung

0,7 nm bei 15 kV
1,4 nm bei 1 kV
1,7 nm bei 500 V

< 2,5 nm bei 30 kV

Vakuum

Gun

< 3*10-7 Pa

< 5*10-6 Pa

Hochvakuum Modus

< 9*10-3 Pa

 —

Niedervakuum Modus
(nur bei U-Variante)

7-500 Pa

 —

Arbeitsmodi

UHR Resolution, Depth, Analysis, Overview, E-Beam*,  3D Live Stereo, Lithografie

Abbildung, REM-FIB Simultanabbildung, I-Beam*, Ätzen, selektives Ätzen, Polieren

Vergrößerung

4 bis 1.000.000 fach

150 bis 1.000.000 fach

Beschleunigungsspannung

200 V bis 30 kV

500 V bis 30 kV

Strahlstrom

2 pA bis 400 nA

1 pA bis 50 nA

Systemvoraussetzungen

230 V / 50 Hz oder 120 V / 60 Hz, 2300 + 1000 VA, geschlossener Kühlkreislauf, Druckluft 6 bis 8 bar, Trockener Stickstoff 1,5 bis 5 bar, minimale Aufstellfläche 4,5 x 3,5 m

*
Option GIS-System wird zum Materialauttrag benötigt!
 
**
Auflösungen von TESCAN GAIA Modellen mit “Beam Deceleration Technologie” (BDT) sowie weitere Informationen zu BDT auf Anfrage.
 
Wide Field Optics™ und In-Flight Beam Tracing™ sind eingetragene Warenzeichen von Tescan, a.s.
Windows™ ist ein eingetragenes Warenzeichen der Microsoft Corporation USA und anderer Länder.